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NAURA北方华创发布第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备，铸就高端薄膜沉积新里程碑
2026年08月05日 11:37:52
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来源: “北方华创”微信公众号
近日，北方华创正式面向全球市场推出第三代12英寸全石英立式氮化硅低压化学气相沉积(LPCVD)设备SICRIUS SN302D Ⅱ。这不仅标志着北方华创高端装备产品矩阵的再度扩容，更彰显了公司在半导体核心工艺设备领域的技术自信与战略雄心。
炉管是芯片制造的核心高温热处理设备，管式LPCVD依靠低压高温环境在晶圆表面沉积氧化硅、氮化硅等关键介质薄膜，是存储和功率器件必不可少的工艺环节。这类设备的国内市场需求旺盛，但技术壁垒高，行业长期面临高温工艺金属杂质析出、膜厚均匀性依赖工程师“经验式工艺调参(Tuning)”等核心痛点。
针对上述行业难题，SICRIUS SN302D Ⅱ基于全石英腔体架构，从根源上切断金属污染源，显著提升工艺性能；通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线的方式，调节硅片表面的反应温度，摆脱人工经验调参短板，保证工艺的一致性。该设备广泛适配先进逻辑、存储、功率及第三代半导体、先进封装、硅光集成等多元应用场景，精准覆盖不同技术节点的量产需求，完善高端氮化硅沉积设备布局，为薄膜工艺的演进提供全新的硬件范式。
关键技术自研
强势突破行业桎梏
全石英腔体一体成型与密封技术：腔体内部阻隔金属部件直接接触，构建超高纯环境，高度适配高端晶圆制造对金属污染零容忍的管控要求；创新性攻克高温、低压耦合工况下腔体漏率漂移的顽疾，保障极端环境下腔内漏率稳定可靠。
高精度智能温控技术：引入多温区复合式精密温控系统，实现对晶圆片内及片间温度场的精细化调控。
精准智能化应用技术：通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线的方式，调节硅片表面的反应温度，满足晶圆片内及片间超高均匀性要求，告别工程师凭经验反复调参的传统模式。
性能优势跃升
深度释放量产价值
高洁净度的工艺环境：凭借高洁净度全石英腔室环境，结合原位智能清洗工艺，从设计源头抑制颗粒污染物产生，多维度保障晶圆表面高洁净水平。
优异的薄膜均匀性：晶圆片内及片间均匀性控制达到行业先进水平，通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线的方式，调节硅片表面反应温度——以算法定义精度，用闭环改写规则，夯实高端氮化硅薄膜沉积业务竞争优势。
经济的综合运营成本：依托原位清洗工艺，降低全石英腔体磨损损耗，减少维保工作量与人工投入，有效延长设备连续运行周期，助力客户产线降本增效。
随着国内12英寸晶圆制造产能快速扩充，氮化硅工艺需求大幅攀升。同时，传统腔体成膜工艺遭遇技术瓶颈。在此背景下，SICRIUS SN302D Ⅱ应运而生，精准匹配市场需求。该设备不仅强力助推北方华创深度切入存储、先进逻辑、硅光集成、高端传感器等高景气赛道，更将系统性地提升北方华创立式沉积装备在国际产业版图中的竞争力。
北方华创已构建涵盖氧化、退火、低压化学气相沉积、等离子体增强原子层沉积等核心工艺的全品类立式炉量产平台。未来，公司将持续深耕高端装备核心技术研发，以设备技术创新紧密匹配芯片制造迭代需求，全力承接客户多元化高端芯片制造需求，为促进产业进步创造无限可能。
关键词：
北方华创,立式氮化硅LPCVD设备
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